IRG4PH50SPBF, IGBT транзистор 1200В 33А 1кГц ТО247АС

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRG4PH50SPBF
IRG4PH50SPBF, IGBT транзистор 1200В 33А 1кГц ТО247АС
Infineon
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
Основные
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
длина15.9мм
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
IGBT транзисторы Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
Основные
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
длина15.9мм
тип корпусаTO-247AC
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры15.9 x 5.3 x 20.3мм
Вес и габариты
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
максимальное напряжение кэ ,в1200
напряжение насыщения при номинальном токе, в1.75
максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
максимальная частота переключения, кгц1
максимальный ток кэ при 100 гр. с,a33
максимальный ток кэ при 25 гр. с,a33
мощность макс.,вт200
структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким воссn-канал
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)1200 В
максимальный непрерывный ток коллектора57 А
Корпус
Высота 20.3 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль