IKZ50N65ES5XKSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IKZ50N65ES5XKSA1
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
3 230
+
Бонус: 64.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-4
серияTRENCHSTOP 5 S5
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности274 W
другие названия товара №IKZ50N65ES5 SP001636074
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.35 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.80 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль