IKW50N65WR5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.4 В, 282 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IKW50N65WR5XKSA1
IKW50N65WR5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.4 В, 282 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г1.43
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
830
+
Бонус: 16.6 !
Бонусная программа
Итого: 830
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
Основные
вес, г1.43
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTRENCHSTOP 5 WR5
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности282 W
другие названия товара №IKW50N65WR5 SP001215522
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль