IKW40N120H3, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IKW40N120H3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
| Основные | |
| вес, г | 38 |
| package / case | TO-247-3 |
| minimum operating temperature | -40 C |
| factory pack quantity | 240 |
| manufacturer | Infineon |
| maximum operating temperature | +175 C |
| mounting style | Through Hole |
| packaging | Tube |
| product category | IGBT Transistors |
| product type | IGBT Transistors |
| series | HighSpeed 3 |
| subcategory | IGBTs |
| configuration | Single |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 240 |
| manufacturer: | Infineon |
| maximum operating temperature: | +175 C |
| minimum operating temperature: | -40 C |
| mounting style: | Through Hole |
| product category: | IGBT Transistors |
| product type: | IGBT Transistors |
| series: | Trenchstop IGBT4 |
| subcategory: | IGBTs |
| packaging: | Tube |
| part # aliases: | SP000674416 IKW4N12H3XK IKW40N120H3FKSA1 |
| Вес и габариты | |
| package/case: | TO-247-3 |
| tradename: | TRENCHSTOP |
| tradename | TRENCHSTOP |
| pd - power dissipation: | 483 W |
| part # aliases | IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416 |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 483 W |
| technology: | Si |
| configuration: | Single |
| maximum gate emitter voltage | 20 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 1200 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 2.05 V |
| continuous collector current at 25 c: | 80 A |
| continuous collector current ic max: | 80 A |
| gate-emitter leakage current: | 600 nA |
| maximum gate emitter voltage: | 20 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 1200 V |
| collector-emitter saturation voltage | 2.05 V |
| continuous collector current at 25 c | 80 A |
| gate-emitter leakage current | 600 nA |
| continuous collector current ic max | 80 A |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![MMUN2214, Транзистор NPN Digital 50В R1=10 кОм R2= 47 кОм 0.246Вт [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/59/73/297359/images/345690/345690.300x0.jpg "MMUN2214, Транзистор NPN Digital 50В R1=10 кОм R2= 47 кОм 0.246Вт [SOT-23-3]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
