Name: IKW15N120BH6XKSA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.9 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
SKU: IKW15N120BH6XKSA1

IKW15N120BH6XKSA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.9 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	4.3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

640 ₽

– +

Бонус: 12.8 !

Бонусная программа

Итого: 640 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Основные
вес, г	4.3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	TRENCHSTOP IGBT6
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	200 W
другие названия товара №	IKW15N120BH6 SP001666618
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.9 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	30 A
ток утечки затвор-эмиттер	600 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	30 A

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IKW15N120BH6XKSA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.9 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)