IKFW50N60ETXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 59А, 120Вт, PG-TO247-3-AI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IKFW50N60ETXKSA1
IKFW50N60ETXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 59А, 120Вт, PG-TO247-3-AI
Основные
вес, г6.51
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
950
+
Бонус: 19 !
Бонусная программа
Итого: 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Основные
вес, г6.51
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTrenchstop IGBT3
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности164 W
другие названия товара №IKFW50N60ET SP001672368
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c73 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.73 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль