Name: IKD04N60RATMA1, 600В 8А 75Вт ТО251
SKU: IKD04N60RATMA1

IKD04N60RATMA1, 600В 8А 75Вт ТО251

Подробное описание

Основные
вес, г	0.32
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

170 ₽

– +

Бонус: 3.4 !

Бонусная программа

Итого: 170 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

Основные
вес, г	0.32
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	TO-252-3
серия	Trenchstop RC
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	75 W
другие названия товара №	IKD04N60R SP000964626
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	8 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Отзывов нет

Кнопки