IKA10N60T, IGBT 600V 12A 1.5V TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IKA10N60T
IKA10N60T, IGBT 600V 12A 1.5V TO220-3
Основные
package / caseTO-220-3 FP
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 10A
Основные
package / caseTO-220-3 FP
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3 FP
серияTrenchstop IGBT3
длина10 mm
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
minimum operating temperature-40 C
factory pack quantity500
manufacturerInfineon
maximum operating temperature+175 C
mounting styleThrough Hole
packagingTube
product categoryIGBT Transistors
product typeIGBT Transistors
seriesTRENCHSTOP IGBT
subcategoryIGBTs
pd - рассеивание мощности30 W
другие названия товара №SP000215376 IKA10N60TXKSA1
configurationSingle
Вес и габариты
tradenameTRENCHSTOP
технологияSi
конфигурацияSingle
part # aliasesIKA10N60TXKSA1 SP000215376
technologySi
pd - power dissipation30 W
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c11.7 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
maximum gate emitter voltage20 V
collector- emitter voltage vceo max600 V
collector-emitter saturation voltage1.5 V
continuous collector current at 25 c11.7 A
gate-emitter leakage current100 nA
Высота 9.25 мм
Ширина4.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль