IHW50N65R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTRENCHSTOP 5 RC-H
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности282 W
другие названия товара №IHW50N65R5 SP001133104
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.50 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль