Name: IHW50N65R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
SKU: IHW50N65R5XKSA1

IHW50N65R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C

490 ₽

– +

Бонус: 9.8 !

Бонусная программа

Итого: 490 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	TRENCHSTOP 5 RC-H
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	282 W
другие названия товара №	IHW50N65R5 SP001133104
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	80 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	50 A

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IHW50N65R5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube