IHW50N65R5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.35 В, 282 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IHW50N65R5XKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Основные
вес, г5.42
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
800
+
Бонус: 16 !
Бонусная программа
Итого: 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Основные
вес, г5.42
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTRENCHSTOP 5 RC-H
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности282 W
другие названия товара №IHW50N65R5 SP001133104
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.50 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль