Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Подробное описание

Основные
вес, г	5.42
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

790 ₽

– +

Бонус: 15.8 !

Бонусная программа

Итого: 790 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Основные
вес, г	5.42
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	RC
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	333 W
другие названия товара №	IHW30N110R3 IHW3N11R3XK SP000702510
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	60 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IHW30N110R3FKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.55 В, 333 Вт, 1.1 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)