IHW30N110R3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IHW30N110R3
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
3 080
+
Бонус: 61.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 080
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияRC
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности333 W
другие названия товара №IHW3N11R3XK SP000702510 IHW30N110R3FKSA1
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c60 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль