IHW25N120E1XKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IHW25N120E1XKSA1
IHW25N120E1XKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г25
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
670
+
Бонус: 13.4 !
Бонусная программа
Итого: 670
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Основные
вес, г25
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIGBT RC Soft Switching
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePG-TO247-3
seriesTrenchStopв„ў ->
pd - рассеивание мощности231 W
другие названия товара №IHW25N120E1 SP001391910
base product numberIHW25N120 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c50 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.50 A
current - collector (ic) (max)50A
current - collector pulsed (icm)75A
gate charge147nC
igbt typeNPT and Trench
power - max231W
switching energy800ВµJ (off)
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 25A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль