IGW75N65H5XKSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IGW75N65H5XKSA1
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
1 560
+
Бонус: 31.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияTrenchstop IGBT5
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePG-TO247-3
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
seriesTrenchStopв„ў ->
pd - рассеивание мощности395 W
другие названия товара №IGW75N65H5 SP001257936
base product numberIGW75N65 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c120 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
current - collector (ic) (max)120A
current - collector pulsed (icm)300A
gate charge160nC
igbt typeTrench
power - max395W
switching energy2.25mJ (on), 950ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c28ns/174ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 75A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 75A, 8Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль