IGW75N60H3FKSA1, БТИЗ транзистор, 140 А, 1.85 В, 428 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGW75N60H3FKSA1
IGW75N60H3FKSA1, БТИЗ транзистор, 140 А, 1.85 В, 428 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г19.96
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
1 220
+
Бонус: 24.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевой упор для траншеи IGBT, 600 В, 140 А, 428 Вт, сквозное отверстие, PG-TO247-3
Основные
вес, г19.96
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePG-TO247-3
seriesTrenchStopВ® ->
base product numberIGW75N60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)140A
current - collector pulsed (icm)225A
gate charge470nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max428W
switching energy3mJ (on), 1.7mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c31ns/265ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.3V @ 15V, 75A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль