IGW50N65H5FKSA1, Одиночный транзистор IGBT, 50А, 1,65В, 305Вт, 650В, TO-247, 3 контакта

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGW50N65H5FKSA1
IGW50N65H5FKSA1, Одиночный транзистор IGBT, 50А, 1,65В, 305Вт, 650В, TO-247, 3 контакта
Основные
вес, г6.06
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
760
+
Бонус: 15.2 !
Бонусная программа
Итого: 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Основные
вес, г6.06
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTrenchstop IGBT5
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности305 W
другие названия товара №IGW50N65H5 SP001001744
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль