IGW50N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGW50N60TPXKSA1
IGW50N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentПолевой ограничитель для траншеи IGBT, 600 В, 80 А, 319,2 Вт, сквозное отверстие, PG-TO247-3
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePG-TO247-3
seriesTrenchStopв„ў ->
base product numberIGW50N60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)80A
current - collector pulsed (icm)150A
gate charge249nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max319.2W
switching energy1.53mJ (on), 850ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c20ns/215ns
vce(on) (max) @ vge, ic1.8V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 50A, 7Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль