Name: IGW50N60TFKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
SKU: IGW50N60TFKSA1

IGW50N60TFKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	5.42
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

930 ₽

– +

Бонус: 18.6 !

Бонусная программа

Итого: 930 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Основные
вес, г	5.42
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	Trenchstop IGBT3
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	333 W
другие названия товара №	IGW50N60T SP000054926
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	90 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Отзывов нет

Кнопки