IGW40N60H3FKSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IGW40N60H3FKSA1
Основные
вес, г8.03
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
610
+
Бонус: 12.2 !
Бонусная программа
Итого: 610
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторыкорпус: TO-247, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 ВтБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W
Основные
вес, г8.03
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияHighSpeed 3
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности306 W
другие названия товара №IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль