IGW40N60H3

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C

4 250 ₽

– +

Бонус: 85 !

Бонусная программа

Итого: 4 250 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	HighSpeed 3
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	306 W
другие названия товара №	IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	80 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Отзывов нет

Кнопки