IGW30N60TPXKSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IGW30N60TPXKSA1
Основные
вес, г6.054
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
730
+
Бонус: 14.6 !
Бонусная программа
Итого: 730
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Основные
вес, г6.054
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTrenchstop Performance
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности200 W
другие названия товара №IGW30N60TP SP001379674
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c53 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль