Name: IGW30N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
SKU: IGW30N60TPXKSA1

IGW30N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C

160 ₽

– +

Бонус: 3.2 !

Бонусная программа

Итого: 160 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	Trenchstop Performance
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	200 W
другие названия товара №	IGW30N60TP SP001379674
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	53 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IGW30N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube