IGW15T120

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IGW15T120
Основные
вес, г6.15
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 230
+
Бонус: 24.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A
Основные
вес, г6.15
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTRENCHSTOP IGBT
длина16.03 mm
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности110 W
другие названия товара №SP000013888 IGW15T12XK IGW15T120FKSA1
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c30 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный коллекторный ток30 A
Высота 21.1 мм
Ширина5.16 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль