Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Подробное описание

Основные
вес, г	1.95
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

860 ₽

– +

Бонус: 17.2 !

Бонусная программа

Итого: 860 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Основные
вес, г	1.95
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	500
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TRENCHSTOP IGBT
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	333 W
другие названия товара №	IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	90 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IGP50N60TXKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)