IGP50N60TXKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGP50N60TXKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Основные
вес, г1.95
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Основные
вес, г1.95
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияTRENCHSTOP IGBT
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности333 W
другие названия товара №IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c90 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль