Name: IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3]
SKU: IGB50N60TATMA1 (G50T60)

IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3]

Подробное описание

630 ₽

– +

Бонус: 12.6 !

Бонусная программа

Итого: 630 ₽

Купить

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin (2 Tab) D2PAK T/R

Вес и габариты
вес, г	2.2
Корпус
dc ток коллектора	90А
импульсный ток коллектора (icm), а	150
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	trenchstop(tm)series
максимальная рабочая температура	175 C
максимальная рассеиваемая мощность, вт	333
максимальное напряжение кэ ,в	600
максимальный ток кэ при 25°c, a	100
наличие встроенного диода	нет
напряжение коллектор-эмиттер	600в
напряжение насыщения коллектор-эмиттер vce(on)	1.5В
напряжение насыщения при номинальном токе, в	2
рабочая температура (tj), °c	-40…+175
рассеиваемая мощность	333Вт
стиль корпуса транзистора	TO-263
технология/семейство	trench and fieldstop
время задержки включения (td(on)) при при 25°c, нс	26
время задержки выключения (td(off)) при при 25°c, нс	299

Отзывов нет

Кнопки