IGB30N60T

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IGB30N60T
Основные
вес, г2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
960
+
Бонус: 19.2 !
Бонусная программа
Итого: 960
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
Основные
вес, г2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокTO-263-3
серияTRENCHSTOP IGBT
длина10 mm
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности187 W
другие названия товара №IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c60 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Высота 4.4 мм
Ширина9.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль