Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
Основные
вид монтажа
SMD/SMT
категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
40 C
подкатегория
IGBTs
размер фабричной упаковки
1000
тип продукта
IGBT Transistors
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
TO-263-3
серия
HighSpeed 3
коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности
187 W
другие названия товара №
IGB30N60H3ATMA1 IGB3N6H3XT SP000852240
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c
60 A
ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26