IGB30N60H3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IGB30N60H3
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
1 150
+
Бонус: 23 !
Бонусная программа
Итого: 1 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-263-3
серияHighSpeed 3
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности187 W
другие названия товара №IGB30N60H3ATMA1 IGB3N6H3XT SP000852240
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c60 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль