Name: IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
SKU: IGB20N65S5ATMA1

IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	0.1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

420 ₽

– +

Бонус: 8.4 !

Бонусная программа

Итого: 420 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Основные
вес, г	0.1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-263-3
серия	Trenchstop IGBT5
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	125 W
другие названия товара №	IGB20N65S5 SP001502564
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	40 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	40 A

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)