IFCM30U65GDXKMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IFCM30U65GDXKMA1
Основные
вес, г6.58
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 100 C
4 630
+
Бонус: 92.6 !
Бонусная программа
Итого: 4 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES
Основные
вес, г6.58
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 100 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки280
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокMDIP-24
серияRectifier Diode Module
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP ~ CIPOS
pd - рассеивание мощности60.4 W
другие названия товара №IFCM30U65GD SP001423506
Вес и габариты
технологияSi
конфигурация3-Phase
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c30 A
ток утечки затвор-эмиттер1 mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль