HGTG30N60B3D

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

1 490 ₽

– +

Бонус: 29.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 490 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	450
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	HGTG30N60B3D
длина	15.87 mm
pd - рассеивание мощности	208 W
другие названия товара №	HGTG30N60B3D_NL
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.45 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	60 A
ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA
непрерывный коллекторный ток	60 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	60 A
Высота	20.82 мм
Ширина	4.82 мм

Отзывов нет

Кнопки