HGT1S10N120BNST, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль