HGT1S10N120BNST, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
Отзывов нет
