Name: HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
SKU: HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

1 130 ₽

– +

Бонус: 22.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 130 ₽

Купить

Вес и габариты
вес, г	1.312
Основные
dc ток коллектора	35А
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
напряжение коллектор-эмиттер	1.2кВ
напряжение насыщения коллектор-эмиттер vce(on)	2.45В
рассеиваемая мощность	298Вт
стиль корпуса транзистора	TO-263AB
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1 - Безлимитный

Отзывов нет

Кнопки