HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
Вес и габариты
вес, г1.312
Основные
dc ток коллектора35А
количество выводов3вывод(-ов)
1 130
+
Бонус: 22.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты

► Купить HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Цена: 1 130 руб.

Почему выбирают нас:

  • ✓ Оригинальная продукция
  • ✓ Быстрая доставка по Москве и России
  • ✓ Гарантия качества
  • ✓ Консультация специалиста

Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
вес, г1.312
Основные
dc ток коллектора35А
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
напряжение коллектор-эмиттер1.2кВ
напряжение насыщения коллектор-эмиттер vce(on)2.45В
рассеиваемая мощность298Вт
стиль корпуса транзистораTO-263AB
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1 - Безлимитный
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль