Name: GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
SKU: GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

Подробное описание

Вес и габариты
вес, г	6.5
Корпус
импульсный ток коллектора (icm), а	100

230 ₽

– +

Бонус: 4.6 !

Бонусная программа

Итого: 230 ₽

Купить

Дискретные IGBT, Toshiba

Вес и габариты
вес, г	6.5
Корпус
импульсный ток коллектора (icm), а	100
максимальная рассеиваемая мощность, вт	230
максимальное напряжение кэ ,в	600
максимальный ток кэ при 25°c, a	50
наличие встроенного диода	да
напряжение насыщения при номинальном токе, в	1.55
рабочая температура (tj), °c	-55…+175
технология/семейство	gen 6.5
время задержки включения (td(on)) при при 25°c, нс	250
время задержки выключения (td(off)) при при 25°c, нс	330

Отзывов нет

Кнопки