FZ2000R33HE4BOSA1, IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules FZ2000R33HE4 & amp; Модули IGBT на 3300 В FZ1400R33HE4 Infineon Technologies Однокнопочные модули IGBT на 3300 В FZ2000R33HE4 и FZ1400R33HE4 предлагают TRENCHSTOP ™ IGBT4 и 4 диода с эмиттерным управлением. Биполярные транзисторы с изолированным затвором представляют собой силовые полупроводниковые устройства с тремя выводами, которые используются в качестве электронных переключателей для сочетания высокой эффективности и быстрого переключения. FZ2000R33HE4 - это модуль с одним переключателем, 190 мм, 2000 А. FZ1400R33HE4 - это модуль с одним переключателем, 130 мм, 1400 А. Эти устройства обладают высокой способностью к короткому замыканию и высокой плотностью тока с низкими коммутационными потерями. Применения включают преобразователи большой мощности, преобразователи среднего напряжения, а также моторные и тяговые приводы.