FS150R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 680 Вт,
В избранноеВ сравнение
![FS150R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 680 Вт,](/wa-data/public/shop/products/39/96/139639/images/174960/174960.970.jpg "FS150R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 680 Вт,")
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 200 А, 680 Вт Модуль для монтажа на шасси
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRFS3806TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 43А [D2-PAK]](/wa-data/public/shop/products/98/28/192898/images/227615/227615.300x0.jpg "IRFS3806TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 43А [D2-PAK]")
![2SC5048, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= 10…30 [TO-3P(H)IS]](/wa-data/public/shop/products/53/50/185053/images/221230/221230.300x0.jpg "2SC5048, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= 10…30 [TO-3P(H)IS]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
