FS150R12KT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 175 Вт,

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FS150R12KT4BOSA1
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль Trans IGBT N-CH 1200V 150A 750000mW 35-контактный лоток ECONO3-4
Основные
вес, г363.3
pin count35
packagingTray
automotiveNo
40 060
+
Бонус: 801.2 !
Бонусная программа
Итого: 40 060
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль Trans IGBT N-CH 1200V 150A 750000mW 35-контактный лоток ECONO3-4
Основные
вес, г363.3
pin count35
packagingTray
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)150
mountingScrew
part statusActive
pcb changed35
ppapNo
supplier packageECONO3-4
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)750000
minimum operating temperature (°c)-40
configurationHex
Вес и габариты
channel typeN
maximum collector-emitter voltage (v)1200
maximum continuous collector current (a)150
maximum gate emitter leakage current (ua)0.1
maximum gate emitter voltage (v)±20
typical collector emitter saturation voltage (v)1.75
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль