FS100R12W2T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 175 °C, Module
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FS100R12W2T7B11BOMA1
![FS100R12W2T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 175 °C, Module](/wa-data/public/shop/products/41/07/140741/images/175633/175633.970.jpg "FS100R12W2T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 175 °C, Module")
![FS100R12W2T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 175 °C, Module](/wa-data/public/shop/products/41/07/140741/images/175634/175634.970.jpg "FS100R12W2T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 175 °C, Module")
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
| Основные | |
| вес, г | 0.356 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Chassis Mount |
| operating temperature | -40В°C ~ 175В°C |
| package | Tray |
| package / case | Module |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Screw Mount |
| категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| подкатегория | IGBTs |
| продукт | IGBT Silicon Modules |
| размер фабричной упаковки | 15 |
| тип продукта | IGBT Modules |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка | Tray |
| упаковка / блок | AG-EASY2B-2 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | Trenchstop IGBT7 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | AG-EASY2B-1 |
| коммерческое обозначение | TRENCHSTOP ~ EasyPIM |
| series | TrenchStopв„ў -> |
| другие названия товара № | FS100R12W2T7_B11 SP001656864 |
| base product number | FS100R12 -> |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | 6-Pack |
| input | Standard |
| максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 1200 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| непрерывный коллекторный ток при 25 c | 70 A |
| ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| current - collector (ic) (max) | 100A |
| igbt type | Trench Field Stop |
| power - max | 20mW |
| vce(on) (max) @ vge, ic | 1.50V @ 15V, 100A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 1200V |
| current - collector cutoff (max) | 9ВµA |
| ntc thermistor | Yes |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![BC33740TA, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92] (BC337-40)](/wa-data/public/shop/products/19/45/184519/images/220744/220744.300x0.jpg "BC33740TA, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92] (BC337-40)")
![FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]](/wa-data/public/shop/products/91/68/196891/images/231717/231717.300x0.jpg "FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
