FP50R12KS4CBOSA1

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	Not Applicable
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 125В°C
package	Bulk

44 360 ₽

– +

Бонус: 887.2 !

Бонусная программа

Итого: 44 360 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - ModulesМодуль IGBT Одиночный, 1200 В, 70 А, 360 Вт, модуль для монтажа на шасси

Основные
moisture sensitivity level (msl)	Not Applicable
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 125В°C
package	Bulk
package / case	Module
максимальная рабочая температура	125 C
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	Module
линейка продукции	EconoPIM
base product number	FP50R12 ->
configuration	Single
Вес и габариты
input	Standard
рассеиваемая мощность	360Вт
power dissipation	360Вт
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	Module
current - collector (ic) (max)	70A
power - max	360W
vce(on) (max) @ vge, ic	3.7V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)	1200V
напряжение коллектор-эмиттер	1.2кВ
dc ток коллектора	70А
напряжение насыщения коллектор-эмиттер vce(on)	3.2В
current - collector cutoff (max)	5mA
input capacitance (cies) @ vce	3.3nF @ 25V
ntc thermistor	Yes
collector emitter saturation voltage	3.2В
continuous collector current	70А
конфигурация бтиз	PIM Three Phase Input Rectifier
collector emitter voltage max	1.2кВ
выводы бтиз	Press Fit
максимальная температура перехода tj	125 C
технология бтиз	IGBT 2 Fast

Отзывов нет

Кнопки