FP50R12KE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP50R12KE3
Основные
вес, г300
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
31 900
+
Бонус: 638 !
Бонусная программа
Итого: 31 900
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
Основные
вес, г300
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокEconoPIM3
длина122 mm
pd - рассеивание мощности270 W
другие названия товара №FP50R12KE3BOSA1 SP000101740
Вес и габариты
конфигурацияHex
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c75 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Высота 17 мм
Ширина62 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль