FP50R06W2E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP50R06W2E3
Основные
вес, г39
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
15 330
+
Бонус: 306.6 !
Бонусная программа
Итого: 15 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A
Основные
вес, г39
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки15
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокModule
серияTrench/Fieldstop IGBT3 - E3
коммерческое обозначениеEasyPIM
pd - рассеивание мощности175 W
другие названия товара №SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияIGBT-Inverter
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.45 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c65 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль