- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ModuleEasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface MaterialМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE
Отзывов нет








![2SD1609, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=160В, Vcbo=160В, Pd=1.25Вт, hFE= 60…320 [TO-126] 2SD1609, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=160В, Vcbo=160В, Pd=1.25Вт, hFE= 60…320 [TO-126]](/wa-data/public/shop/products/87/48/184887/images/221072/221072.300x0.jpg)







