FP35R12W2T4PB11BPSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ModuleEasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface MaterialМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
packageTray
6 140
+
Бонус: 122.8 !
Бонусная программа
Итого: 6 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ModuleEasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface MaterialМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
packageTray
package / caseModule
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки18
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageModule
коммерческое обозначениеEasyPIM
seriesEasyPIMв„ў 2B ->
другие названия товара №FP35R12W2T4P_B11 SP001326042
base product numberFP35R12 ->
configurationThree Phase Inverter
Вес и габариты
inputThree Phase Bridge Rectifier
current - collector (ic) (max)70A
igbt typeTrench Field Stop
power - max20mW
vce(on) (max) @ vge, ic2.2V @ 15V, 35A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)1mA
input capacitance (cies) @ vce2nF @ 25V
ntc thermistorYes
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль