FP25R12U1T4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP25R12U1T4
Основные
вес, г34
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
22 860
+
Бонус: 457.2 !
Бонусная программа
Итого: 22 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V
Основные
вес, г34
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокSmartPIM1
серияIGBT4
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности190 W
другие названия товара №FP25R12U1T4BPSA1 SP000663674
Вес и габариты
конфигурацияPIM 3-Phase Input Rectifier
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c39 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль