FP15R12KE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP15R12KE3
Основные
вес, г180
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
15 580
+
Бонус: 311.6 !
Бонусная программа
Итого: 15 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 27A
Основные
вес, г180
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки20
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокEASY2
длина55.9 mm
другие названия товара №SP000100275 FP15R12KE3BOMA1
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияHex
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c27 A
Высота 17 мм
Ширина45.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль