FP150R12KT4P_B11

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP150R12KT4P_B11
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
66 940
+
Бонус: 1338.8 !
Бонусная программа
Итого: 66 940
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки6
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon / IR
упаковкаTray
упаковка / блокEconoPIM 3
pd - рассеивание мощности20 mW
другие названия товара №FP150R12KT4PB11BPSA1 SP001603806
Вес и габариты
конфигурацияHex
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c150 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль