FP10R12YT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP10R12YT3
Основные
вес, г24
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
13 840
+
Бонус: 276.8 !
Бонусная программа
Итого: 13 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A
Основные
вес, г24
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки20
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокEASY2
длина62.8 mm
другие названия товара №SP000100303 FP10R12YT3BOMA1
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияArray 7
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c16 A
Высота 12 мм
Ширина33.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль