FP10R12W1T7B11BOMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP10R12W1T7B11BOMA1
Основные
вес, г24
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 75В°C (TJ)
10 640
+
Бонус: 212.8 !
Бонусная программа
Итого: 10 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Основные
вес, г24
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 75В°C (TJ)
packageTray
package / caseModule
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageAG-EASY1B-2
seriesEasyPIMв„ў 1B ->
base product numberFP10R12 ->
configurationThree Phase Inverter
вид монтажа:Screw Mount
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
подкатегория:IGBTs
продукт:IGBT Silicon Modules
производитель:Infineon
серия:Trenchstop IGBT7
тип продукта:IGBT Modules
торговая марка:Infineon Technologies
размер фабричной упаковки:24
упаковка:Tray
другие названия товара №:FP10R12W1T7_B11 SP001655200
упаковка / блок:AG-EASY1B-2
Вес и габариты
inputThree Phase Bridge Rectifier
технология:Si
конфигурация:PIM
current - collector (ic) (max)10A
igbt typeTrench Field Stop
power - max20mW
vce(on) (max) @ vge, ic1.6V @ 15V, 10A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)4.5ВµA
input capacitance (cies) @ vce1890pF @ 25V
ntc thermistorYes
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:1200 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:10 A
ток утечки затвор-эмиттер:100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль