FP10R12W1T4_B3
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A
Отзывов нет
![Транзистор КТ337Б \PNP\0,15\TO-92\; транз КТ337Б \PNP\0,15\TO-92\](/wa-data/public/shop/products/32/19/291932/images/336402/336402.300x0.jpg "Транзистор КТ337Б \PNP\0,15\TO-92\; транз КТ337Б \PNP\0,15\TO-92\")
![TL084CNSR, Операционный усилитель JFET, 4-канальный [SOP-14_208mil]](/wa-data/public/shop/products/32/75/27532/images/38134/38134.300x0.jpg "TL084CNSR, Операционный усилитель JFET, 4-канальный [SOP-14_208mil]")
