FGY120T65SPD-F085, Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGY120T65SPD-F085
FGY120T65SPD-F085, Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
1 550
+
Бонус: 31 !
Бонусная программа
Итого: 1 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияFGY120T65S_F085
pd - рассеивание мощности882 W
другие названия товара №FGY120T65SPD_F085
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c240 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.240 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль